成果介绍

调控晶体材料的电学性能是材料科学和电子学的核心。通过外部电压产生电场效应是一种清洁，连续且系统的方法。

有鉴于此，近日，中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室曾华凌教授和朱文光教授（共同通讯作者）等合作利用范德华（vdW）铁电α-In₂Se₃中独特的电偶极子锁定，通过面内电压诱导并控制面外方向的静电掺杂，实现电学栅控。利用超薄α-In₂Se₃和MoS₂的垂直vdW异质结，实验验证了具有出色的保持性开/关比的面内电压栅控共面场效应晶体管。本文的研究结果表明，铁电具有前所未有的电学控制功能，这为将2D铁电集成到具有广泛应用的新型纳米电子器件中铺平了道路。

图文导读 

图1. α-In₂Se₃中的铁电极化锁定。

图2. 面外极化的面内电场控制。

图3. 铁电畴的表面电势。

图4. 面内电压栅控场效应晶体管的演示。

文献信息

Orthogonal Electric Control of the Out-Of-Plane Field-Effect in 2D Ferroelectric α-In₂Se₃ (Adv. Electron. Mater., 2020, DOI:10.1002/aelm.202000061)

文献链接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/aelm.202000061

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