研究微纳米尺度的能量耗散是提高2D电子器件性能和可靠性的基础。近年来，2D PtSe2因其独特的多功能性质融合而在下一代功能器件的开发中受到广泛关注。对于PtSe2器件的实际应用，了解PtSe2与其衬底之间的界面热性质是非常必要的。其中，边界热导(TBC)对PtSe2器件的面外散热起着至关重要的作用。有鉴于此，近日，厦门大学张学骜教授，蔡伟伟教授和国防科技大学邓楚芸副研究员，罗威博士（共同通讯作者）等合作通过电偏置拉曼测温法，识别多层PtSe2器件的能量耗散行为，并提取了PtSe2/SiO2界面的实际TBC值。得到的TBC值约为8.6 MW m-2 K-1，属于已知固-固界面的低端，这表明可能应用于热电器件或其他依赖大温度梯度的器件。此外，PtSe2器件的最大电流密度决定了其阈值功率，这对于改进器件设计和指导未来的应用至关重要。因此，本文探索了多层PtSe2器件的电击穿，发现击穿电流密度为17.7 MA cm-2，阈值功率密度为0.2 MW cm-2，这比常用的铝和铜的典型值都要大。这些结果为研究PtSe2器件的能量耗散提供了关键的见解，并使PtSe2成为热约束应用和纳米薄膜互连的优秀候选材料，这将有利于节能功能2D器件的发展。
Energy Dissipation and Electrical Breakdown in Multilayer PtSe2 Electronics(ACS Appl. Mater. Interfaces, 2022, DOI:10.1021/acsami.2c15252)文献链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.2c15252上海昂维科技有限公司现提供二维材料单晶和薄膜等耗材，器件和光刻掩膜版定制等微纳加工服务，以及各种测试分析，欢迎各位老师和同学咨询，竭诚做好每一份服务。
