六方氮化硼是具有〜5.9eV的直接带隙的半导体，并且已广泛用作用于生产由各种类型的2D半导体（例如WSe2，MoSe2等）构成的超高迁移率2D异质结构的绝缘体。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，并且可以剥落成薄2D层，直到单层h-BN。h-BN晶体具有约0.1cm的典型横向尺寸并且是透明的。单晶h-BN是优异的绝缘体，其由非常大的击穿电压（>0.4V/nm）表示。大面积尺寸的h-BN单晶可以被剥离到基底（例如SiO2，石英，聚合物等）上。对于厚度为几十纳米厚的晶体，尺寸范围高达〜100微米。
规格：HQ graphen（尺寸：~1mm；包装：20片）
2D semiconductor（尺寸：/）
定制（尺寸：~5mm：包装：5片）
