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GaTe

碲化镓在散装形式中的带隙为1.65eV（730nm），并在730nm处显示强烈的光致发光性。类似于二硫化钼和石墨，其具有分层结构（层状）与弱层间耦合，从而可以剥离到单层。每个单层四个原子厚（Te-Ga-Ga-Te），其大致是0.9-1.0nm。 应用范围：电子、传感器 - 探测器、非线性光学与光学、STM - 原子力显微镜的应用、分子检测 -结合、超低摩擦研究（摩擦学）、材料科学和半导体研究

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~4-6mm

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HQ graphene 2D semiconductor

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GaTe
碲化镓在散装形式中的带隙为1.65eV（730nm），并在730nm处显示强烈的光致发光性。类似于二硫化钼和石墨，其具有分层结构（层状）与弱层间耦合，从而可以剥离到单层。每个单层四个原子厚（Te-Ga-Ga-Te），其大致是0.9-1.0nm。 应用范围：电子、传感器 - 探测器、非线性光学与光学、STM - 原子力显微镜的应用、分子检测 -结合、超低摩擦研究（摩擦学）、材料科学和半导体研究
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