单层二硫化钨（1H-WS₂）薄片已被剥离的从大容量二硫化钨（2H-WS₂）到90纳米的热氧化和测量从5微米到40micron大小。每个样品含有至少一个单层WS₂并很容易找到具有给定的x和y坐标。充分表征的是，各单层薄片进行。通常，单层WS₂显示强的PL在2.02eV用0.04到0.08eV FWHM，所有数据被提供与样本和数据包括拉曼光谱，光致发光，100倍的光学图像，并且x，y坐标。

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