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Sb2xAs2(1-x)S3是完美的1:1:3的化学计量组成的。在散装形式,锑硫化砷是一种直接带隙半导体和具有带隙在约1.7电子伏特。以二硫化钼类似,它具有层状结构(片状)与弱的层间耦合,并可以分离到单层。单层厚度约为〜0.8 nm。订货时请注明x值。空间群:P21 / C分层:是/去除角质,以单层带隙:〜1.7电子伏特散装纯度:半导体级(6N)99.9999%生长技术:气相传输技术 - 时间:2.0个月试样尺寸:5-10毫米
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