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2H-MoSe2

MoSe 2（2H相）是具有〜1.1eV的间接带隙的半导体。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，并且可以剥落成薄的2D层。MoSe 2属于VI族过渡金属二硫化物（TMDC）。2H相二硒化钼晶体具有约0.8-1cm的典型横向尺寸，是六边形的并且具有金属外观。我们生产p型和n型MoSe2，在室温下具有〜10 15 cm -3的典型电荷载流子密度。

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MoSe 2（2H相）是具有〜1.1eV的间接带隙的半导体。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，并且可以剥落成薄的2D层。MoSe 2属于VI族过渡金属二硫化物（TMDC）。2H相二硒化钼晶体具有约0.8-1cm的典型横向尺寸，是六边形的并且具有金属外观。我们生产p型和n型MoSe2，在室温下具有〜10 15 cm -3的典型电荷载流子密度。

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MoSe 2（2H相）是具有〜1.1eV的间接带隙的半导体。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，并且可以剥落成薄的2D层。MoSe 2属于VI族过渡金属二硫化物（TMDC）。2H相二硒化钼晶体具有约0.8-1cm的典型横向尺寸，是六边形的并且具有金属外观。我们生产p型和n型MoSe2，在室温下具有〜10 15 cm -3的典型电荷载流子密度。

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MoSe 2（2H相）是具有〜1.1eV的间接带隙的半导体。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，并且可以剥落成薄的2D层。MoSe 2属于VI族过渡金属二硫化物（TMDC）。2H相二硒化钼晶体具有约0.8-1cm的典型横向尺寸，是六边形的并且具有金属外观。我们生产p型和n型MoSe2，在室温下具有〜10 15 cm -3的典型电荷载流子密度。
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